20世紀(jì)90年代出現(xiàn)并特別值得一提的是面發(fā)射激光器(SEL)，早在1977年，人們就提出了所謂的面發(fā)射激光器，并于1979年做出了第一個(gè)器件，1987年做出了用光泵浦的780nm的面發(fā)射激光器.1998年GaInAIP/GaA。

 

面發(fā)射激光器在室溫下達(dá)到亞毫安的網(wǎng)電流,8mW的輸出功率和11%的轉(zhuǎn)換效率。前面談到的半導(dǎo)體激光器，從腔體結(jié)構(gòu)上來說，不論是F一P(法布里一泊羅)腔或是DBR(分布布拉格反射式)腔，激光輸出都是在水平方向，統(tǒng)稱為水平腔結(jié)構(gòu).它們都是沿著襯底片的平行方向出光的.而面發(fā)射激光器卻是在芯片上下表面鍍上反射膜構(gòu)成了垂直方向的F一p腔，光輸出沿著垂直于襯底片的方向發(fā)出，垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(VCSEIS)是一種新型的量子阱激光器，它的激射闊值電流低，輸出光的方向性好，藕合效率高，能得到相當(dāng)強(qiáng)的光功率輸出，垂直腔面發(fā)射激光器已實(shí)現(xiàn)了工作溫度最高達(dá)71攝氏度. 20世紀(jì)90年代末，面發(fā)射激光器和垂直腔面發(fā)射激光器得到了迅速的發(fā)展，且已考慮了在超并行光電子學(xué)中的多種應(yīng)用.980mn,850nm和780nm的器件在光學(xué)系統(tǒng)中已經(jīng)實(shí)用化.目前，垂直腔面發(fā)射激光器已用于千兆位以太網(wǎng)的高速網(wǎng)絡(luò)。

　　
為了滿足21世紀(jì)信息傳輸寬帶化、信息處理高速化、信息存儲(chǔ)大容量以及軍用裝備小型、高精度化等需要，半導(dǎo)體激光器的發(fā)展趨勢(shì)主要在高速寬帶LD、大功率ID,短波長(zhǎng)LD,盆子線和量子點(diǎn)激光器、中紅外LD等方面.目前，在這些方面取得了一系列重大的成果,上面介紹完了， 激光打標(biāo)機(jī)之光源近20年來的發(fā)展歷程